![MG400J1US45](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
MG400J1US45
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TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
TOSHIBA CORP
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
1
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
400 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
VCEsat-最大值
2.5 V
最大下降时间 (tf)
1000 ns