你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

GT30N135SRA,S1E

型号:

GT30N135SRA,S1E

封装:

TO-247-3

描述:

D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    TO-247

  • 厂商

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • Tube

  • Active

  • 60 A

  • 300V, 60A, 39Ohm, 15V

  • - 25 V, 25 V

  • 348 W

  • + 175 C

  • - 55 C

  • Through Hole

  • 1.35 kV

  • 系列

    -

  • 操作温度

    175°C (TJ)

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    348 W

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1350 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.6V @ 15V, 60A

  • IGBT类型

    -

  • 闸门收费

    270 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    120 A

  • Td(开/关)@25°C

    -

  • 开关能量

    -, 1.3mJ (off)

0 类似产品