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GT60M101

型号:

GT60M101

封装:

-

数据表:

DSA-316451.pdf

描述:

Description: TRANSISTOR 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, 2-21F1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Obsolete

  • TOSHIBA CORP

  • 2-21F1C, 3 PIN

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • 1000 ns

  • 400 ns

  • 附加功能

    HIGH SPEED SWITCHING

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    60 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    900 V

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