![GT60M101](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
GT60M101
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Description: TRANSISTOR 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, 2-21F1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
TOSHIBA CORP
2-21F1C, 3 PIN
1
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
1000 ns
400 ns
附加功能
HIGH SPEED SWITCHING
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
60 A
集电极-发射器电压-最大值
900 V
GT60M101 PDF数据手册
- 数据表 :