STGF19NC60HD
TO-220-3 Full Pack
STMICROELECTRONICS STGF19NC60HD IGBT Single Transistor, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
97 ns
390V, 12A, 10 Ω, 15V
1
600V
系列
PowerMESH™
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
32W
额定电流
9A
基本部件号
STGF19
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
35W
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
接通延迟时间
25 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
16A
反向恢复时间
31 ns
连续放电电流(ID)
16A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
32 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V, 12A
关断时间-标准值（toff)
272 ns
闸门收费
53nC
集极脉冲电流（Icm）
60A
Td（开/关）@25°C
25ns/97ns
开关能量
85μJ (on), 189μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
宽度
4.6mm
长度
10.4mm
高度
16.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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STGF19NC60HD PDF数据手册
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