![IRG4IBC20UDPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-dmv1500sdfd-7505.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.299997g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
480V, 6.5A, 50 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
34W
额定电流
11.4A
元素配置
Single
功率耗散
34W
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
17ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.1V
最大集电极电流
11.4A
反向恢复时间
37 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
55 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 6.5A
关断时间-标准值(toff)
320 ns
闸门收费
27nC
集极脉冲电流(Icm)
52A
Td(开/关)@25°C
39ns/93ns
开关能量
160μJ (on), 130μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
170ns
高度
16.129mm
长度
10.7442mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery Time
-
IRG4IBC20UDPBF
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
11.4 A
34 W
34 W
2.1 V
37 ns
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
10 A
25 W
25 W
2.5 V
37 ns
-
Through Hole
TO-220-3
600 V
13 A
60 W
60 W
2.1 V
37 ns
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
13 A
45 W
45 W
2.1 V
55ns
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
8 A
35 W
35 W
2.2 V
55ns
IRG4IBC20UDPBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
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