![IRG4IBC20FDPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-dmv1500sdfd-7505.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
480V, 9A, 50 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2000
零件状态
Last Time Buy
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
34W
额定电流
14.3A
元素配置
Single
功率耗散
34W
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
20ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
14.3A
反向恢复时间
37 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
63 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 9A
关断时间-标准值(toff)
610 ns
闸门收费
27nC
集极脉冲电流(Icm)
64A
Td(开/关)@25°C
43ns/240ns
开关能量
250μJ (on), 640μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
高度
16.129mm
长度
10.7442mm
宽度
4.826mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsCollector Emitter Breakdown VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Number of TerminationsECCN CodeRadiation HardeningTransistor Element Material
-
IRG4IBC20FDPBF
TO-220-3 Full Pack
3
600 V
1 (Unlimited)
3
EAR99
No
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