PD57006-E
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
Surface Mount
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
引脚数
3
质量
4.535924g
1
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
165°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
20W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
250
额定电流
1A
频率
945MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PD57006
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
20W
箱体转运
SOURCE
测试电流
70mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大输出功率
6W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏源击穿电压
65V
输入电容
27pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
最小击穿电压
65V
功率增益
15dB
高度
3.5mm
长度
7.5mm
宽度
9.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationInput Capacitance
PD57006-E
Surface Mount
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
65 V
1 A
20 V
20 W
20 W
27 pF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
60V
1.28 A
20 V
870 mW
1.36 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
3 A
20 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
80V
1.1 A
15 V
600 mW
1 W
-
PD57006-E PDF数据手册
- 数据表 :