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BC858BT116

型号:

BC858BT116

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

描述:

TRANS PNP 30V 0.1A SST3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 30V

  • 1

  • 210

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN SILVER COPPER

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 电压 - 额定直流

    -30V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    -100mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    BC85*

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    250MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    650mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    210 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    650mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    250MHz

  • 最大击穿电压

    30V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    -30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 连续集电极电流

    -100mA

  • 集电极-基极电容-最大值

    5pF

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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