![2SCR502UBTL](https://static.esinoelec.com/200dimg/rohmsemiconductor-2sar523ubtl-0208.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SC-85
引脚数
85
晶体管元件材料
SILICON
30V
1
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-F3
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
360MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
200nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 200mA
转换频率
360MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
500mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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2SCR502UBTL
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100 mV
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