安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件包装

8-HWSON (3.3x3.3)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Active

4A (Ta)

4.5V, 10V

10W (Ta)

100 V

8.3 ns

2.5 V

10 W

N-Channel

+ 150 C

- 5 V, + 12 V

5000

SMD/SMT

8.8 S

Enhancement

Renesas Electronics

Renesas Electronics

3.7 nC

165 mOhms

Details

35 ns

4 A

系列

-

操作温度

150°C

包装

Reel

子类别

MOSFETs

通道数量

1 Channel

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

165mOhm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.7 nC @ 4.5 V

上升时间

4.8 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

+12V, -5V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

3.3 mm

高度

0.8 mm

长度

3.3 mm