安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

8-HSON

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas Electronics America Inc

Active

35A (Tc)

5V, 10V

1W (Ta), 77W (Tc)

2500

Renesas Electronics

Renesas Electronics

Details

LEAD FREE, HSON-8

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

PLSN0008KA-A8

NOT SPECIFIED

175 °C

Yes

NP35N04YLG-E1-AY

RECTANGULAR

1

Not Recommended

RENESAS ELECTRONICS CORP

5.7

HSON

35 A

系列

-

操作温度

175°C

包装

Tube

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

MOSFETs

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.7mOhm @ 17.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2850 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35 A

漏极-源极导通最大电阻

0.015 Ω

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

77 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

220 pF

产品类别

MOSFET

宽度

5 mm

高度

1.45 mm

长度

5.4 mm