安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3PFM

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas Electronics America Inc

Tube

Active

2A (Ta)

15V

50W (Tc)

2

MSL 1 - Unlimited

-

1.5 kV

17 ns

4 V

50 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

25

Through Hole

0.45 S

Enhancement

Renesas Electronics

Renesas Electronics

12 Ohms

Details

150 ns

2 A

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

PRSS0003ZD-A3

NOT SPECIFIED

2SK2225-80-E#T2

RECTANGULAR

1

Active

General Purpose Power MOSFETs Nch Single Power MOSFET 1500V 2A 12000mohm TO-3PF

RENESAS ELECTRONICS CORP

5.74

TO-3PF

2 A

操作温度

150°C

包装

Tube

子类别

MOSFETs

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

50

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12Ohm @ 1A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

990 pF @ 10 V

上升时间

50 ns

漏源电压 (Vdss)

1500 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

12 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7 A

DS 击穿电压-最小值

1500 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

15.5 mm

高度

5.5 mm

长度

26.5 mm