
2SK1317-E
TO-3P-3, SC-65-3
RENESAS - 2SK1317-E - MOSFET, N, TO-3P
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PRSS0004ZE-A
2.5A Ta
15V
1
100W Tc
110 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
1999
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
12 Ω @ 2A, 15V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
990pF @ 10V
上升时间
70ns
漏源电压 (Vdss)
1500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
60 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7A
栅源电压
4 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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2A (Ta)
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20 V
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