你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

2SK1317-E

型号:

2SK1317-E

封装:

TO-3P-3, SC-65-3

数据表:

2SK1317

描述:

RENESAS - 2SK1317-E - MOSFET, N, TO-3P

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-3P-3, SC-65-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    PRSS0004ZE-A

  • 2.5A Ta

  • 15V

  • 1

  • 100W Tc

  • 110 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1999

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    SINGLE

  • 引脚数量

    4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    100W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    17 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    12 Ω @ 2A, 15V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    990pF @ 10V

  • 上升时间

    70ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    1500V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    60 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.5A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    7A

  • 栅源电压

    4 V

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

0 类似产品

相关型号

2SK1317-E PDF数据手册