![MUBW50-12A8](https://static.esinoelec.com/200fimg/ixys-mubw5012a8-2684.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
E3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
7
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Bulk
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
UL RECOGNIZED
最大功率耗散
350W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
MUBW
引脚数量
24
JESD-30代码
R-XUFM-X24
资历状况
Not Qualified
配置
Three Phase Inverter with Brake
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
350W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Three Phase Bridge Rectifier
集电极发射器电压(VCEO)
2.6V
最大集电极电流
85A
最大集极截止电流
3.7mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
反向电压
1.6kV
输入电容
3.3nF
接通时间
170 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
570 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
Yes
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
3.3nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MUBW50-12A8 PDF数据手册
- 数据表 :