你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

MUBW50-12A8

型号:

MUBW50-12A8

品牌:

IXYS

封装:

E3

数据表:

MUBW50-12A8

描述:

IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    E3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.2kV

  • 7

  • 操作温度

    -40°C~125°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    24

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • 附加功能

    UL RECOGNIZED

  • 最大功率耗散

    350W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    MUBW

  • 引脚数量

    24

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X24

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    Three Phase Inverter with Brake

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    350W

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Three Phase Bridge Rectifier

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.6V

  • 最大集电极电流

    85A

  • 最大集极截止电流

    3.7mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 反向电压

    1.6kV

  • 输入电容

    3.3nF

  • 接通时间

    170 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.6V @ 15V, 50A

  • 关断时间-标准值(toff)

    570 ns

  • IGBT类型

    NPT

  • NTC热敏电阻

    Yes

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    3.3nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

MUBW50-12A8 PDF数据手册