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IXA27IF1200HJ

型号:

IXA27IF1200HJ

品牌:

IXYS

封装:

ISOPLUS247™

数据表:

IXA27IF1200HJ

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXA27IF1200HJ IGBT Single Transistor, 43 A, 2.1 V, 150 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    ISOPLUS247™

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.2kV

  • 1

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN SILVER COPPER

  • 最大功率耗散

    150W

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    150W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    43A

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • JEDEC-95代码

    TO-247AD

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    110 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 25A

  • 关断时间-标准值(toff)

    350 ns

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

    No

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • 高度

    21.34mm

  • 长度

    16.13mm

  • 宽度

    5.21mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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