
IXA27IF1200HJ
ISOPLUS247™
IXYS SEMICONDUCTOR IXA27IF1200HJ IGBT Single Transistor, 43 A, 2.1 V, 150 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
ISOPLUS247™
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2013
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
最大功率耗散
150W
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
150W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
43A
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-247AD
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 25A
关断时间-标准值(toff)
350 ns
IGBT类型
PT
NTC热敏电阻
No
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
高度
21.34mm
长度
16.13mm
宽度
5.21mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
IXA27IF1200HJ PDF数据手册
- 数据表 :