![MID100-12A3](https://static.esinoelec.com/200fimg/ixys-mid10012a3-6655.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
Y4-M5
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
附加功能
UL RECOGNIZED
最大功率耗散
560W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
MID
JESD-30代码
R-XUFM-X5
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
560W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
135A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
5.5nF
接通时间
150 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 75A
关断时间-标准值(toff)
700 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
No
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
5.5nF @ 25V
VCEsat-最大值
3 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
MID100-12A3 PDF数据手册
- 数据表 :