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N28F001BX-T150

型号:

N28F001BX-T150

品牌:

Intel

封装:

-

描述:

Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    32

  • Non-Compliant

  • 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32

  • CHIP CARRIER

  • 128000

  • PLASTIC/EPOXY

  • LDCC32,.5X.6

  • NOT SPECIFIED

  • 150 ns

  • 70 °C

  • No

  • N28F001BX-T150

  • 131072 words

  • 5 V

  • QCCJ

  • RECTANGULAR

  • Intel Corporation

  • Obsolete

  • INTEL CORP

  • 8.76

  • QFJ

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NOR TYPE

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    DEEP POWER-DOWN; TOP BOOT BLOCK

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 子类别

    Flash Memories

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    J BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    32

  • JESD-30代码

    R-PQCC-J32

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.03 mA

  • 组织结构

    128KX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    3.55 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.000001 A

  • 记忆密度

    1048576 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    12 V

  • 耐力

    100000 Write/Erase Cycles

  • 数据轮询

    NO

  • 拨动位

    NO

  • 命令用户界面

    YES

  • 扇区/尺寸数

    1,2,1

  • 行业规模

    8K,4K,112K

  • 引导模块

    TOP

  • 宽度

    11.43 mm

  • 长度

    13.97 mm

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