![71V65703S80BG](https://static.esinoelec.com/200fimg/integrateddevicetechnology-71v65703s80bg-2620.jpg)
71V65703S80BG
BGA
SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8ns 119-Pin BGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
包装/外壳
BGA
引脚数
119
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
频率
95MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
119
工作电源电压
3.3V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.465V
最小电源电压
3.135V
内存大小
1.1MB
端口的数量
1
电源电流
250mA
访问时间
8 ns
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
14mm
座位高度(最大)
2.36mm
宽度
22mm
器件厚度
2.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
71V65703S80BG PDF数据手册
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