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709349L9BF
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709349L9BF pdf数据手册 和 Memory 产品详情来自 Integrated Device Technology (IDT) 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
100
FPBGA-100
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
3
4000
PLASTIC/EPOXY
BGA100,10X10,32
BF100
NOT SPECIFIED
20 ns
70 °C
No
709349L9BF
4096 words
5 V
LFBGA
SQUARE
Integrated Device Technology Inc
Obsolete
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
5.91
CABGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）
225
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
100
JESD-30代码
S-PBGA-B100
资历状况
Not Qualified
Integrated Device Technology
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.36 mA
组织结构
4KX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.5 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
73728 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
10 mm
长度
10 mm