![71V3577S80BGI](https://static.esinoelec.com/200fimg/integrateddevicetechnology-71v3577s80bgi-2156.jpg)
71V3577S80BGI
BGA
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Surface Mount
包装/外壳
BGA
引脚数
119
100MHz
RAM, SDR, SRAM
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3.3V
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
119
工作电源电压
3.3V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
3.465V
最小电源电压
3.135V
内存大小
512kB
端口的数量
1
电源电流
210mA
访问时间
8 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
17b
密度
4.5 Mb
待机电流-最大值
0.035A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
14mm
座位高度(最大)
2.36mm
宽度
22mm
器件厚度
2.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeFrequencyInterfaceMin Supply VoltageSupply Voltage
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71V3577S80BGI
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
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17 b
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119
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4.5 Mb
17 b
7.5 ns
100 MHz
Parallel
3.135 V
3.3 V
-
119-BGA
119
Volatile
4 Mb
17 b
8ns
100 MHz
Parallel
3.135 V
-
-
BGA
119
RAM, SRAM
4.5 Mb
17 b
8 ns
95 MHz
Parallel
3.135 V
3.3 V
71V3577S80BGI PDF数据手册
- 数据表 :