71T75802S200BG
BGA
SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 3.2ns 119-Pin BGA Tube/Tray
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
包装/外壳
BGA
引脚数
119
200MHz
RAM, SDR, SRAM
已出版
2012
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）
225
功能数量
1
电源电压
2.5V
频率
200MHz
引脚数量
119
工作电源电压
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
最大电源电压
2.625V
最小电源电压
2.375V
内存大小
2.3MB
端口的数量
1
电源电流
275mA
访问时间
3.2 ns
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
20b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.04A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
2.38V
长度
14mm
座位高度(最大)
2.36mm
宽度
22mm
器件厚度
2.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeFrequencyInterfaceMin Supply VoltageSupply Voltage
71T75802S200BG
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
18 Mb
20 b
3.2 ns
200 MHz
Parallel
2.375 V
2.5 V
119-BGA
119
Volatile
18 Mb
19 b
3ns
-
-
-
3.3 V
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
18 Mb
19 b
3.5 ns
166 MHz
Parallel
2.375 V
2.5 V
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
18 Mb
19 b
3.8 ns
150 MHz
Parallel
2.375 V
2.5 V
BGA
119
RAM, SDR, SRAM
18 Mb
19 b
3.5 ns
166 MHz
Parallel
2.375 V
2.5 V
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