IRL3803VPBF
TO-220-3
IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
140A Tc
4.5V 10V
1
200W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
30V
额定电流
140A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
200W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5m Ω @ 71A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3720pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
76nC @ 4.5V
上升时间
180ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
37 ns
连续放电电流(ID)
140A
阈值电压
1V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75A
漏极-源极导通最大电阻
0.0055Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
470A
雪崩能量等级（Eas）
400 mJ
高度
16.51mm
长度
10.6426mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRL3803VPBF
Through Hole
TO-220-3
140 A
140A (Tc)
1 V
16 V
200 W
200W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
116 A
116A (Tc)
1 V
16 V
130 W
180W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
140 A
140A (Tc)
1 V
16 V
150 W
200W (Tc)
Through Hole
TO-220AB
156 A
-
2.5 V
20 V
160 W
-
Through Hole
TO-220-3
50 A
50A (Tc)
1 V
20 V
2.7 W
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
IRL3803VPBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
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