![IRL3803PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-iru105033ct-6368.jpg)
IRL3803PBF
TO-220-3
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.006 Ohm; Id 140A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs +/-16V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
140A Tc
4.5V 10V
1
200W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2001
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
6mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
30V
额定电流
140A
螺纹距离
2.54mm
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
150W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 71A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 4.5V
上升时间
230ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
140A
阈值电压
1V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
470A
双电源电压
30V
恢复时间
180 ns
栅源电压
1 V
高度
8.77mm
长度
10.5156mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRL3803PBF
Through Hole
TO-220-3
140 A
140A (Tc)
1 V
16 V
150 W
200W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
116 A
116A (Tc)
1 V
16 V
130 W
180W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
140 A
140A (Tc)
1 V
16 V
200 W
200W (Tc)
-
Through Hole
TO-220AB
156 A
-
2.5 V
20 V
160 W
-
-
Through Hole
TO-220-3
150 A
150A (Tc)
2.3 V
20 V
140 W
140W (Tc)
IRL3803PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :