工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

34 ns

2

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

29mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

最大功率耗散

2.5W

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

额定电流

7.3A

基本部件号

IRF7389PBF

行间距

6.3 mm

通道数量

1

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

13ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

7.3A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

栅源电压

1 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free