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IRF6665TR1PBF
DirectFET™ Isometric SH
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric SH
引脚数
5
供应商器件包装
DIRECTFET™ SH
4.2A Ta 19A Tc
10V
1
2.2W Ta 42W Tc
14 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
62MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 额定直流
100V
额定电流
4.2A
元素配置
Single
功率耗散
42W
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
62mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
530pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
2.8ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.3 ns
连续放电电流(ID)
3.4A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
双电源电压
100V
输入电容
530pF
漏源电阻
62mOhm
最大rds
62 mΩ
栅源电压
3 V
高度
506μm
长度
4.826mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF6665TR1PBF
Surface Mount
DirectFET? Isometric SH
100V
3.4 A
4.2A (Ta), 19A (Tc)
3 V
62 mΩ
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerWDFN
-
16 A
4A (Ta), 16A (Tc)
2.9 V
-
20 V
31 W
2.5W (Ta), 31W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
23 A
23A (Tc)
3 V
-
20 V
70 W
70W (Tc)
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric SH
-
4.2 mA
4.2A (Ta), 19A (Tc)
-
-
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric SH
100V
4.2 A
4.2A (Ta), 19A (Tc)
4 V
62 mΩ
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
IRF6665TR1PBF PDF数据手册
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