IRF6655TR1PBF
DirectFET™ Isometric SH
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric SH
引脚数
5
供应商器件包装
DIRECTFET™ SH
4.2A Ta 19A Tc
10V
1
2.2W Ta 42W Tc
14 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
62MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
元素配置
Single
功率耗散
42W
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
62mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
530pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.7nC @ 10V
上升时间
2.8ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4.3 ns
连续放电电流(ID)
4.2A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
输入电容
530pF
漏源电阻
53mOhm
最大rds
62 mΩ
栅源电压
4 V
高度
506μm
长度
4.826mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
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IRF6655TR1PBF
Surface Mount
100V
4.2 A
4.2A (Ta), 19A (Tc)
4 V
62 mΩ
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Surface Mount
-
3.4 A
4.2A (Ta), 19A (Tc)
5 V
-
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Surface Mount
-
16 A
4A (Ta), 16A (Tc)
2.9 V
-
20 V
31 W
2.5W (Ta), 31W (Tc)
Surface Mount
-
14.4 A
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
4 V
-
20 V
2.4 W
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Surface Mount
100V
3.4 A
4.2A (Ta), 19A (Tc)
3 V
62 mΩ
20 V
42 W
2.2W (Ta), 42W (Tc)
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