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BSC123N10LSGATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
10.6A Ta 71A Tc
4.5V 10V
1
114W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
114W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.3m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 72μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4900pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
10.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
BSC123N10LSGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
10.6 A
10.6A (Ta), 71A (Tc)
20 V
114 W
114W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
11.2 A
11.2A (Ta)
20 V
5 W
2.5W (Ta), 5W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12.5 A
12.5A (Ta), 50A (Tc)
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 127W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
11 A
11A (Ta), 71A (Tc)
20 V
114 W
114W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
11.4 A
11.4A (Ta), 90A (Tc)
20 V
156 W
156W (Tc)
ROHS3 Compliant
BSC123N10LSGATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :