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BSC100N10NSFGATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A 8-Pin TDSON
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
11.4A Ta 90A Tc
10V
1
156W Tc
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
156W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 110μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2900pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
11.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
360A
雪崩能量等级(Eas)
377 mJ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
BSC100N10NSFGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
11.4 A
11.4A (Ta), 90A (Tc)
20 V
156 W
156W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
14.5 A
14.5A (Ta), 60A (Tc)
20 V
125 W
3.2W (Ta), 125W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
60 A
12.4A (Ta), 60A (Tc)
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 104W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12.5 A
12.5A (Ta), 50A (Tc)
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 127W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
13.4 A
13.4A (Ta), 100A (Tc)
20 V
156 W
156W (Tc)
ROHS3 Compliant
BSC100N10NSFGATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :