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ZVP2120GTA

型号:

ZVP2120GTA

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

ZVP2120G

描述:

MOSFET P-Chnl 200V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 质量

    7.994566mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 200mA Ta

  • 10V

  • 1

  • 2W Ta

  • 12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    25Ohm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    7 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25 Ω @ 150mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    100pF @ 25V

  • 上升时间

    7ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.3A

  • 漏源击穿电压

    -200V

  • 高度

    1.65mm

  • 长度

    6.7mm

  • 宽度

    3.7mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    品牌
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    Package / Case
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    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • ZVP2120GTA

    ZVP2120GTA

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    200V

    200mA (Ta)

    200 mA

    20 V

    2 W

    2W (Ta)

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    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

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    20 V

    2 W

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    TO-261-4, TO-261AA

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    320mA (Ta)

    320 mA

    20 V

    2 W

    2W (Ta)

  • ZVN2120GTA

    Surface Mount

    TO-261-4, TO-261AA

    -

    1A (Tc)

    1 A

    20 V

    2 W

    2W (Ta)