ZVN2120GTA
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
320mA Ta
10V
1
2W Ta
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
10Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
200V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
320mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 250mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
85pF @ 25V
上升时间
8ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
12 ns
连续放电电流(ID)
320mA
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.32A
漏源击穿电压
200V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
2A
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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320 mA
320mA (Ta)
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200mA (Ta)
-
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-
20 V
2 W
2W (Ta)
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120 mA
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-2.1 V
20 V
1.7 W
1.8W (Ta)
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1 A
1A (Tc)
-
20 V
2 W
2W (Ta)
ZVN2120GTA PDF数据手册
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