![BSP129H6327XTSA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-tle42664ghtma2-5245.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PG-SOT223-4
350mA Ta
0V 10V
1
1.8W Ta
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
通道数量
1
电压
240V
元素配置
Single
电流
35A
功率耗散
1.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 350mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 108μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
108pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.7nC @ 5V
上升时间
4.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
120mA
阈值电压
-2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
240V
漏极-源极导通最大电阻
20Ohm
漏源击穿电压
240V
双电源电压
240V
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
Depletion Mode
栅源电压
-1.4 V
高度
1.8mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
BSP129H6327XTSA1
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
120 mA
350mA (Ta)
-2.1 V
20 V
1.7 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
320 mA
320mA (Ta)
1 V
20 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
360 mA
350mA (Ta)
1.4 V
20 V
1.7 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
350 mA
350mA (Ta)
-
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
BSP129H6327XTSA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :