![DMN4468LSS-13](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
10A Ta
4.5V 10V
1
1.52W Ta
18.84 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
5.46 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 11.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
867pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.85nC @ 10V
上升时间
14.53ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14.53 ns
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxRadiation Hardening
-
DMN4468LSS-13
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
10 A
10A (Ta)
20 V
1.52W (Ta)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
10.2 A
10.2A (Ta)
20 V
2.5W (Ta)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
-12 A
12A (Tc)
20 V
2.5W (Ta)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
11 A
11A (Ta)
20 V
2.5W (Ta)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
11 A
11A (Ta)
20 V
2.5W (Ta)
No
DMN4468LSS-13 PDF数据手册
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- 环境信息 :
- Rohs 声明 :