你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

DMN2250UFB-7B

型号:

DMN2250UFB-7B

封装:

3-UFDFN

数据表:

DMN2250UFB

描述:

MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    3-UFDFN

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.35A Ta

  • 1.8V 4.5V

  • 1

  • 500mW Ta

  • 59.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    4.3 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    170m Ω @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    94pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.1nC @ 10V

  • 上升时间

    6.1ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    25.4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.35A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.25Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 高度

    480μm

  • 长度

    1.08mm

  • 宽度

    675μm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

相关型号