包装/外壳

211-07-3

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

65 V

5 V

220 W

N-Channel

+ 200 C

40 V

- 65 C

SMD/SMT

Advanced Semiconductor, Inc.

Advanced Semiconductor, Inc.

Details

9 A

1.5 mOhms

9 A

4.61

ASI SEMICONDUCTOR INC

Active

ROUND

MRF172

200 °C

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

FLANGE MOUNT

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

包装

Tray

ECCN 代码

EAR99

类型

RF Power MOSFET

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

Not Qualified

工作频率

200 MHz

配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

输出功率

80 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

RF MOSFET Transistors

增益

10 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

220 W

最高频段

VERY HIGH FREQUENCY BAND

产品类别

RF MOSFET Transistors