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AGR26180EF

型号:

AGR26180EF

品牌:

Advanced

封装:

-

描述:

RF MOSFET Transistors 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

  • FLANGE MOUNT

  • CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • 30

  • 200 °C

  • AGR26180EF

  • RECTANGULAR

  • Broadcom Limited

  • 1

  • Active

  • BROADCOM LTD

  • 5.31

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    FET General Purpose Power

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F4

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    500 W

  • 最高频段

    ULTRA HIGH FREQUENCY BAND

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