
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
FLANGE MOUNT
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
30
200 °C
AGR26180EF
RECTANGULAR
Broadcom Limited
1
Active
BROADCOM LTD
5.31
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET General Purpose Power
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
SOURCE
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
500 W
最高频段
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND