表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

10

Advanced Semiconductor, Inc.

Advanced Semiconductor, Inc.

Details

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

FLANGE MOUNT

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

30

200 °C

AGR21030EF

RECTANGULAR

1

Active

BROADCOM LTD

5.31

包装

Tray

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN LEAD

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

RF MOSFET Transistors

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

87.5 W

最高频段

S BAND

产品类别

RF MOSFET Transistors