制造商是'Renesas'
Renesas 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 制造商包装标识符 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 颜色 | 附加功能 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 通道数量 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | 下降时间（典型值） | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 栅源电压 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 产品类别 | 直径 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | RJK5015DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10V | 150W Ta | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | 150°C TJ | Tube | yes | 活跃 | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 4 | 25A Ta | N-Channel | 240m Ω @ 12.5A, 10V | 2600pF @ 25V | 66nC @ 10V | 500V | ±30V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK1317-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 15V | 1 | 100W Tc | 110 ns | 通孔 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | SILICON | PRSS0004ZE-A | 150°C TJ | Tube | 1999 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | SINGLE | 4 | 2.5A Ta | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 100W | DRAIN | 17 ns | N-Channel | SWITCHING | 12 Ω @ 2A, 15V | 990pF @ 10V | 70ns | 1500V | ±20V | 60 ns | 2.5A | 4V | 20V | 7A | 4 V | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP55N055SDG-E1-AZ | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | PRSS0004ZV-A3 | 未说明 | 175 °C | 有 | NP55N055SDG-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.7 | MP-3ZK | Renesas | YES | EAR99 | FET 通用电源 | 未说明 | compliant | 3 | , | Single | N-CHANNEL | 55 A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 77 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK0305DPB-02#J0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 4.5V 10V | 1 | 35 ns | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-100, SOT-669 | 5 | Tape & Reel (TR) | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 4 | 150°C | -55°C | 45W | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | 5 | R-PSSO-G4 | 30A Ta | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 7 ns | N-Channel | SWITCHING | 8m Ω @ 15A, 10V | 1250pF @ 10V | 8nC @ 4.5V | 3ns | 30V | +16V, -12V | 3 ns | 30A | 0.013Ohm | 120A | 30V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ687-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2.5V 4.5V | 1 | 1W Ta 36W Tc | 270 ns | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SILICON | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | 3 | R-PSSO-G2 | 20A Tc | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 1W | DRAIN | 36 ns | P-Channel | SWITCHING | 7m Ω @ 10A, 4.5V | 4400pF @ 10V | 57nC @ 4.5V | 220ns | 20V | ±12V | N-CHANNEL | 310 ns | 20A | TO-252AA | 12V | 0.02A | 0.02Ohm | 20V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2165H-EL-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 4.5V 10V | 1 | 30W Tc | 60 ns | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-100, SOT-669 | 5 | SILICON | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e4 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | 20 | 5 | R-PSSO-G4 | 55A Ta | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 30W | DRAIN | 13 ns | N-Channel | SWITCHING | 3.3m Ω @ 27.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 5180pF @ 10V | 33nC @ 4.5V | 65ns | 30V | ±20V | 9.5 ns | 55A | 20V | 220A | 30V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK1028DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4A (Ta) | 4.5V, 10V | 10W (Ta) | 100 V | 8.3 ns | 2.5 V | 10 W | N-Channel | + 150 C | - 5 V, + 12 V | 5000 | SMD/SMT | 8.8 S | Enhancement | Renesas Electronics | Renesas Electronics | 3.7 nC | 165 mOhms | Details | 35 ns | 4 A | MOSFET | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | 8-HWSON (3.3x3.3) | Renesas Electronics America Inc | 150°C | Reel | - | MOSFETs | 活跃 | 1 Channel | N-Channel | 165mOhm @ 2A, 10V | 2.5V @ 1mA | 450 pF @ 10 V | 3.7 nC @ 4.5 V | 4.8 ns | 100 V | +12V, -5V | 1 N-Channel | - | MOSFET | 0.8 mm | 3.3 mm | 3.3 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0332DPB-00-J0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 35A (Ta) | - | Obsolete | 表面贴装 | SC-100, SOT-669 | LFPAK | Renesas Electronics America Inc | - | - | MOSFET (Metal Oxide) | Bulk | N-Channel | 4.7mOhm @ 17.5A, 10V | - | 2180 pF @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V | 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0346DPA-00#J0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 65A (Ta) | 65W (Tc) | Obsolete | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | 8-WPAK (3) | Renesas Electronics America Inc | 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | Bulk | N-Channel | 2mOhm @ 32.5A, 10V | - | 7650 pF @ 10 V | 49 nC @ 4.5 V | 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1814GR-9JG-E1-A | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | 7A (Ta) | Compliant | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | Renesas Electronics America Inc | - | 最后一次购买 | 2 W | P-Channel | 16mOhm @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 2180 pF @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 30 V | 7 A | - | 12 mΩ | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP50N04YUK-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 50A (Tc) | 10V | 1W (Ta), 97W (Tc) | 2500 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Details | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | PLSN0008KA-A8 | 未说明 | NP50N04YUK-E1-AY | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.7 | HSON | 50 A | Renesas | MOSFET | 表面贴装 | 8-PowerLDFN | YES | 8-HSON (5x5.4) | 5 | SILICON | Renesas Electronics America Inc | 175°C | 切割胶带 | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | DUAL | FLAT | 未说明 | compliant | 8 | AEC-Q101 | R-PDSO-F5 | 活跃 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 4.8mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 3200 pF @ 25 V | 57 nC @ 10 V | 40 V | ±20V | N-CHANNEL | 0.0048 Ω | 40 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 240 pF | MOSFET | 1.45 mm | 5.4 mm | 5 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK1056DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 10V | 1 | 65W Tc | 36 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-100, SOT-669 | 5 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 5 | 25A Ta | 65W | 16 ns | N-Channel | 14m Ω @ 12.5A, 10V | 3000pF @ 10V | 41nC @ 10V | 4.5ns | 100V | ±20V | 6.5 ns | 25A | 20V | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0348DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22A (Ta) | 2.5W (Ta) | Obsolete | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOP | Renesas Electronics America Inc | 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | Bulk | N-Channel | 3.4mOhm @ 11A, 10V | - | 5100 pF @ 10 V | 34 nC @ 4.5 V | 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2054-T1-AZ | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4V, 10V | 3A (Ta) | Obsolete | Bulk | 表面贴装 | TO-243AA | MP-2 | Renesas | 150°C | - | 2W (Ta) | N-Channel | 200mOhm @ 1.5A, 10V | 2V @ 1mA | 530 pF @ 10 V | 60 V | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT1127H-EL-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | PTZZ0005DA-A5 | 20 | 150 °C | 有 | HAT1127H-EL-E | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | 1 | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.31 | LFPAK | 40 A | Renesas | YES | 4 | SILICON | 有 | EAR99 | 其他晶体管 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | compliant | 5 | R-PSSO-G4 | 不合格 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | 40 A | 0.0077 Ω | 160 A | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 30 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2225-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 15V | 1 | 50W Tc | 150 ns | 通孔 | TO-3PFM, SC-93-3 | NO | SILICON | 150°C TJ | Tube | 2005 | e2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Copper (Sn/Cu) | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | 2A Ta | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 1 | 增强型MOSFET | 50W | ISOLATED | 17 ns | N-Channel | SWITCHING | 12 Ω @ 1A, 15V | 984.7pF @ 30V | 1500V | ±20V | 2A | 20V | 2A | 1.5kV | 7A | 25.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2199R-EL-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 Week | Bulk | 11A (Ta) | 2W (Ta) | Obsolete | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | PRSP0008DD-D8 | 未说明 | 150 °C | 有 | HAT2199R-EL-E | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | 1 | Obsolete | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.79 | SOP | 11 A | Renesas | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8-SOP | 8 | SILICON | Renesas Electronics America Inc | 150°C (TJ) | - | 有 | EAR99 | FET 通用电源 | MOSFET (Metal Oxide) | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 11 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | N-Channel | SWITCHING | 16.5mOhm @ 5.5A, 10V | - | 1060 pF @ 10 V | 7.5 nC @ 4.5 V | 30 V | N-CHANNEL | 11 A | 0.025 Ω | 88 A | 30 V | N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2 W | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP20P06YLG-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 1W (Ta), 57W (Tc) | NP20P06 | 20 | 2500 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Details | PLSN0008KA-A8 | 未说明 | 175 °C | 有 | NP20P06YLG-E1-AY | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.69 | HSON | Renesas | MOSFET | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | YES | 8-HSON | Renesas Electronics America Inc | 175°C | 切割胶带 | - | EAR99 | MOSFETs | 未说明 | compliant | 8 | 活跃 | Single | 57 | P-Channel | 47mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250μA | 2407 pF @ 25 V | 51 nC @ 10 V | 60 V | ±20V | P-CHANNEL | 20 A | P | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 57 W | - | MOSFET | 1.45 mm | 5.4 mm | 5 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ555-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLANGE MOUNT | 1 | PLASTIC/EPOXY | PRSS0004ZE-A4 | 未说明 | 150 °C | 有 | 2SJ555-E | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | 1 | 不推荐 | 2SJ555-E P-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 3-Pin TO-3P Renesas | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.21 | TO-3P | 60 A | Renesas | NO | 3 | SILICON | e2 | 有 | EAR99 | 锡铜 | 其他晶体管 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 4 | R-PSFM-T3 | 不合格 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | 60 A | 0.036 Ω | 240 A | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 125 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1815GR-9JG-E1-A | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 最后一次购买 | Tape & Reel (TR) | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP | Renesas Electronics America Inc | - | 7A (Ta) | P-Channel | 15mOhm @ 3.5A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 3000 pF @ 10 V | 25 nC @ 4 V | 20 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2168H-EL-E | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 4.5V 10V | 1 | 15W Tc | 40 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-100, SOT-669 | 5 | Aluminium, Plastic | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e6 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | Black | 30V | SINGLE | 鸥翼 | 260 | 30A | 20 | 5 | R-PSSO-G4 | 30A Ta | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 8 ns | N-Channel | SWITCHING | 7.9m Ω @ 15A, 10V | 1730pF @ 10V | 11nC @ 4.5V | 20ns | ±20V | 4 ns | 30A | 20V | 32.766mm | 14.986mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2225-80-E#T2 | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 2A (Ta) | 15V | 50W (Tc) | 2 | MSL 1 - Unlimited | - | 1.5 kV | 17 ns | 4 V | 50 W | N-Channel | + 150 C | - 20 V, + 20 V | 25 | 通孔 | 0.45 S | Enhancement | Renesas Electronics | Renesas Electronics | 12 Ohms | Details | 150 ns | 2 A | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | PRSS0003ZD-A3 | 未说明 | 2SK2225-80-E#T2 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | General Purpose Power MOSFETs Nch Single Power MOSFET 1500V 2A 12000mohm TO-3PF | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.74 | TO-3PF | 2 A | Renesas | MOSFET | 通孔 | TO-220-3 Full Pack | NO | TO-3PFM | 3 | SILICON | Renesas Electronics America Inc | 150°C | Tube | MOSFETs | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 3 | R-PSFM-T3 | Tube | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 1 Channel | 增强型MOSFET | 50 | ISOLATED | N-Channel | SWITCHING | 12Ohm @ 1A, 15V | 4V @ 1mA | 990 pF @ 10 V | 50 ns | 1500 V | ±20V | N-CHANNEL | 1 N-Channel | 12 Ω | 7 A | 1500 V | N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | MOSFET | 5.5 mm | 26.5 mm | 15.5 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK03B9DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | 30A (Ta) | 25W (Tc) | Obsolete | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | 8-WPAK | Renesas Electronics America Inc | 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | 30 | N-Channel | 10.6mOhm @ 15A, 10V | - | 1110 pF @ 10 V | 7.4 nC @ 4.5 V | 30 V | N | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP35N04YLG-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 35A (Tc) | 5V, 10V | 1W (Ta), 77W (Tc) | 2500 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Details | LEAD FREE, HSON-8 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | PLSN0008KA-A8 | 未说明 | 175 °C | 有 | NP35N04YLG-E1-AY | RECTANGULAR | 1 | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.7 | HSON | 35 A | Renesas | MOSFET | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | YES | 8-HSON | 5 | SILICON | Renesas Electronics America Inc | 175°C | Tube | - | EAR99 | 逻辑电平兼容 | MOSFETs | DUAL | FLAT | 未说明 | compliant | 8 | R-PDSO-F5 | 活跃 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 9.7mOhm @ 17.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 2850 pF @ 25 V | 51 nC @ 10 V | 40 V | ±20V | N-CHANNEL | 35 A | 0.015 Ω | 40 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 77 W | - | 220 pF | MOSFET | 1.45 mm | 5.4 mm | 5 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2158A-T1B-AT | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | LEAD FREE, MINI MOLD, SC-59, 3 PIN | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | 2SK2158A-T1B-AT | RECTANGULAR | NEC Electronics America Inc | 1 | Transferred | NEC ELECTRONICS AMERICA INC | 5.68 | 0.1 A | YES | 3 | SILICON | Renesas Electronics America Inc | * | e3 | 哑光锡 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | R-PDSO-G3 | 不合格 | Bulk | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.05 Ω | 50 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |