类别是'晶体管 - IGBT - 模块'
晶体管 - IGBT - 模块 (5331)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | 制造商包装标识符 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 正向电流 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 隔离电压 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 集电极电流-最大值(IC) | 最大结点温度（Tj） | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值（toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
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 | FPF2C8P2NL07A | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 通孔 | 底座安装 | F2 Module | 45g | 650V | -40°C~150°C TJ | 2014 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 8542.39.00.01 | 135W | 未说明 | 未说明 | 三相 | 135W | Standard | 2.2V | 30A | 250μA | 2.5kV | 2.2V @ 15V, 30A | 场站 | 有 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS150R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 6 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 150A | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 750W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 750W | 165 ns | 2.1V @ 15V, 150A | 605 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 2.1 V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 1.2kV | Panel, Screw | 底座安装 | Module | 7 | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 2.4kW | UPPER | 7 | NPN | 半桥 | Dual | 2.4kW | ISOLATED | 2400W | Standard | 1.2kV | 580A | 5mA | 1200V | 230 ns | 2.15V @ 15V, 450A | 720 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | 30.9mm | 106.4mm | 61.4mm | Unknown | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF100R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 2 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X5 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 555W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 100A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 630nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF200R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 320A | 底座安装 | Module | NO | 7 | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | 7 | NPN | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1100W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1200V | 680 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 700 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS35R12W1T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 6 | 底座安装 | Module | NO | 18 | SILICON | 65A | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 22 | R-XUFM-X15 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 225W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 57 ns | 2.25V @ 15V, 35A | 520 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF300R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 450A | 底座安装 | Module | NO | 7 | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | 7 | NPN | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1600W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1200V | 230 ns | 2.15V @ 15V, 300A | 720 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 19nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP30R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 7 | Screw | 底座安装 | Module | 23 | SILICON | 600V | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | 115W | UPPER | UNSPECIFIED | 23 | 三相逆变器 | ISOLATED | 115W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 37A | 1mA | 42 ns | 2V @ 15V, 30A | 245 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.65nF @ 25V | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS820R08A6P2BBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 39 Weeks | AG-HYBRIDD-1 | 940 ns | 2006 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 714W | 280 ns | 750V | 175°C | 450A | 21.81mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF450R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 2 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 675A | -40°C~150°C TJ | 2013 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 2250W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 290 ns | 2.1V @ 15V, 450A | 740 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 28nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 99 Weeks | Panel, Screw | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 不适用 | 7 | EAR99 | FAST | 1.95kW | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1950W | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 370A | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.75V @ 15V, 300A | 590 ns | 无 | 20nF @ 25V | 30.9mm | 106.4mm | 61.4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF450R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 600A | -40°C~150°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | no | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 2500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 380 ns | 2.3V @ 15V, 450A | 1600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 36nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF600R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 52 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 2 | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 Independent | Dual | 4.05kW | ISOLATED | 4050W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 600A | 3mA | 1200V | 310 ns | 2.1V @ 15V, 600A | 770 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 37nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP25R12W2T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 7 | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 39A | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 175W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 133 ns | 2.25V @ 15V, 25A | 685 ns | 有 | 1.45nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF75R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 75A | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X5 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 395W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 4.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FD150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | Screw | 底座安装 | Module | 5 | 1.2kV | -40°C~150°C TJ | 2002 | C | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 790W | UPPER | 7 | R-XUFM-X4 | 单斩波器 | Single | 790W | ISOLATED | 不含卤素 | Standard | 1.2kV | 150A | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 9.3nF @ 25V | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF225R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 2 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 320A | -40°C~150°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | no | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1050W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 220 ns | 2.15V @ 15V, 225A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 13nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF1000R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 12 | SILICON | 2 | -40°C~150°C | 2002 | PrimePACK™3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 6250W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 720 ns | 2.45V @ 15V, 1000A | 1890 ns | 有 | 81nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS50R12W2T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 6 | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 18 | SILICON | 1.2kV | -40°C~125°C | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | 335W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 33 | R-XUFM-X15 | 不合格 | 全桥逆变器 | 335W | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 83A | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT60GA60JD60 | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 600 V | 356 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 底座安装 | 1 | POWER MOS 8, ISOTOP | 1.058219 oz | SOT-227-4 | Details | Tube | Single | - 55 C to + 150 C | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 2 | Screw | 表面贴装 | Module | 7 | 150A | -40°C~150°C TJ | 2002 | C | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | 7 | R-XUFM-X5 | 半桥 | Dual | 790W | ISOLATED | Standard | 1.2kV | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP75R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 7 | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 24 | SILICON | 1.2kV | -40°C~125°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | 350W | UPPER | UNSPECIFIED | 35 | R-XUFM-X35 | NPN | Single | 350W | ISOLATED | 355W | 75A | Standard | 1.2kV | 105A | 5mA | 1200V | 330 ns | 2.2V @ 15V, 75A | 610 ns | NPT | 无 | 5.3nF @ 25V | 17mm | 122mm | 62mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGL475U120DAG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1.2 kV | 2.307 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 610 A | APTGL475 | 活跃 | 175 °C | 有 | APTGL475U120DAG | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.69 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | EAR99 | compliant | Single | 2.307 | 2307 W | Standard | 4 mA | 1200 V | 2307 W | 2.2V @ 15V, 400A | 610 A | 610 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 无 | 20 V | 24.6 nF @ 25 V | 2.2 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF300R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 2 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 450A | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1600W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 240 ns | 2.1V @ 15V, 300A | 720 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT46GA90JD40 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 900 V | 284 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 底座安装 | 1 | POWER MOS 8, ISOTOP | 1.058219 oz | Tube | 87 A | APT46GA90 | 活跃 | 900 V | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4 | 4 | ISOTOP® | 30.000004 g | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | POWER MOS 8™ | 150 °C | -55 °C | 284 W | Single | Single | 284 | 284 W | Standard | 900 V | 87 A | - 55 C to + 150 C | 350 µA | 900 V | 4.17 nF | 3.1V @ 15V, 47A | 87 | PT | 无 | 4.17 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | 无 |