![FF100R12RT4HOSA1](https://static.esinoelec.com/200fimg/infineontechnologies-ff100r12rt4hosa1-2612.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
100A
2
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X5
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
555W
晶体管应用
POWER CONTROL
无卤素
Not Halogen Free
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
185 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
490 ns
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
No
输入电容(Cies)@Vce
630nF @ 25V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
FF100R12RT4HOSA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- 冲突矿产声明 :