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FS50R12W2T4BOMA1

型号:

FS50R12W2T4BOMA1

封装:

Module

数据表:

FS50R12W2T4

描述:

IGBT MOD 1200V 83A 335W

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Screw

  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    Module

  • 引脚数

    18

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.2kV

  • 6

  • 操作温度

    -40°C~125°C

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    15

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    335W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    33

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X15

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    Full Bridge Inverter

  • 功率耗散

    335W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    83A

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    185 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.15V @ 15V, 50A

  • 关断时间-标准值(toff)

    490 ns

  • IGBT类型

    Trench Field Stop

  • NTC热敏电阻

    Yes

  • 输入电容(Cies)@Vce

    2.8nF @ 25V

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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