null 产品销售 - PDF - null - 页 400 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储器'

存储器 (6000)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	密度	I/O类型	内存IC类型	串行总线类型
GS8672Q37BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	12 Weeks	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II+	1.9 V	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8672Q37BE-400I	400 MHz	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.92	BGA	BGA-165	YES	165	400 MHz		Tray	GS8672Q37BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+			8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	1.88 A			2 M x 36	3-STATE	1.5 mm	36				72		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V		17 mm	15 mm
GS8672Q18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	400 MHz	Parallel	1.7 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II	1.9 V		BGA-165			N		Tray	GS8672Q18BE				SigmaQuad-II																			72 Mbit			1.36 A			4 M x 18							72
GS8182S18BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			355 mA			1 M x 18														SRAM
25AA640X-I/STG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	1	8000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	25AA640X-I/STG	1 MHz	8192 words	2.5 V	TSSOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.3	SOIC			YES	8	4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8				e3	有	EAR99		哑光锡		8542.32.00.51		CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	5.5 V		INDUSTRIAL	1.8 V			SYNCHRONOUS				8KX8		1.2 mm	8				65536 bit		SERIAL		EEPROM	SPI	5 ms			4.4 mm	3 mm
GS816236DGB-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	36 Bit	2.7, 3.6 V	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM		BGA-119			250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS816236DGB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								119							18 Mbit			280 mA, 365 mA	4@Flow-Through/2.5@P		512 k x 36				19 Bit		18								SRAM
GS8672D19BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D19BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.51 A			4 M x 18						72								SRAM
GS8161Z36DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8161Z36DGD-150V	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Commercial grade	SRAM	BGA-165	YES	165	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z36DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36		18 Mbit	18874368 bit	Commercial	PARALLEL	ZBT SRAM	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672D37BGE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D37BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			2.05 A			2 M x 36						72								SRAM
GS8672Q37BE-375	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	375 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672Q37BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.76 A			2 M x 36						72								SRAM
GS816218DD-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS816218DD-200IV	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	SRAM	BGA-165	YES	165	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS816218DD			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	210 mA, 215 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.4 mm	18		18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	缓存SRAM	SRAM	15 mm	13 mm
GS8182S09BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8182S09BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			430 mA			2 M x 9														SRAM
GS8672Q18BE-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	12 Weeks	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	0.45 ns	70 °C	无	GS8672Q18BE-200	200 MHz	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.49	BGA	SRAM	BGA-165	YES	165	有		Tray	GS8672Q18BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II			8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	850 mA			4 M x 18	3-STATE	1.5 mm	18			72		PARALLEL	SEPARATE	标准SRAM			1.7 V	SRAM	17 mm	15 mm
GS816132DGD-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	表面贴装	2, 2.7 V	32 Bit	512 kWords	Synchronous	1.7, 2.3 V	1.8, 2.5 V	SDR	FBGA	有	150 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS816132DGD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	18 Mbit		Industrial							SRAM
GS8342T19BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T19BD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		460 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	36 Mbit		Industrial							SRAM
GS8672D19BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D19BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.19 A			4 M x 18						72								SRAM
GS8342T37BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			300 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T37BGD				SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		580 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	36 Mbit		Industrial							SRAM
GS8672D36BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D36BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.86 A			2 M x 36						72								SRAM
GS8342Q07BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			200 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q07BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		565 mA		Pipelined	4 M x 8				21 Bit	36 Mbit		Industrial							SRAM
GS816132DGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS816132DGD				同步突发				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		245 mA, 265 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32				19 Bit	18 Mbit		Industrial							SRAM
GS8672D19BGE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D19BGE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.51 A			4 M x 18														SRAM
GS8161Z36DGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8161Z36DGD-250V	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Commercial grade	SRAM	BGA-165	YES	165	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z36DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	225 mA, 245 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36		18 Mbit	18874368 bit	Commercial	PARALLEL	ZBT SRAM	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672T18BE-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672T18BE				SigmaDDR-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			800 mA			4 M x 18						72								SRAM
GS8182S09BGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8182S09BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			485 mA			2 M x 9														SRAM
GS8160E18DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM		TQFP-100			有		Tray	GS8160E18DGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			170 mA, 180 mA	7.5 ns		1 M x 18														SRAM
GS816218DB-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade	SRAM		BGA-119			222.2@Flow-Through/333@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS816218DB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								119							18 Mbit	2		240 mA, 285 mA	4.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18				20 Bit	18 Mbit		Commercial							SRAM

存储器 (6000)