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TP65H480G4JSG-TR

型号:

TP65H480G4JSG-TR

品牌:

Transphorm

封装:

3-SMD, Flat Lead

描述:

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    3-SMD, Flat Lead

  • 供应商器件包装

    3-PQFN (5x6)

  • 厂商

    Transphorm

  • Active

  • 3.6A (Tc)

  • 8V

  • 13.2W (Tc)

  • TP65H480

  • 650 V

  • Yes

  • 2.8 V

  • 13.2 W

  • N-Channel

  • + 150 C

  • - 18 V, + 18 V

  • - 55 C

  • 500

  • SMD/SMT

  • Enhancement

  • TP65H480G4JSG

  • Transphorm

  • Transphorm

  • 9 nC

  • SuperGaN

  • 560 mOhms

  • Details

  • 3.6 A

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    MouseReel

  • 子类别

    MOSFETs

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    560mOhm @ 3.4A, 8V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.8V @ 500μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    760 pF @ 400 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    9 nC @ 8 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650 V

  • Vgs(最大值)

    ±18V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    HEMT

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

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