![TP65H070LSG-TR](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
3-PowerDFN
供应商器件包装
3-PQFN (8x8)
厂商
Transphorm
Active
25A (Tc)
10V
96W (Tc)
650 V
Yes
4 V
96 W
N-Channel
+ 150 C
- 55 C
500
SMD/SMT
Transphorm
Transphorm
148 mOhms
Details
25 A
Enhancement
系列
TP65H070L
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
Cut Tape
子类别
MOSFETs
通道数量
1 Channel
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.8V @ 700μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600 pF @ 400 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.3 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±20V
产品类别
MOSFET
晶体管类型
HEMT
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET