![TP65H050G4WS](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
Transphorm
Tube
Active
34A (Tc)
10V
119W (Tc)
TP65H050
650 V
49.2 ns
4.8 V
119 W
N-Channel
+ 150 C
- 20 V, + 20 V
- 55 C
30
SMD/SMT
Enhancement
Transphorm
Transphorm
24 nC
60 mOhms
Details
88.3 ns
34 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
Bulk
子类别
MOSFETs
配置
Single
通道数量
1 Channel
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.8V @ 700μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000 pF @ 400 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24 nC @ 10 V
上升时间
11.3 ns
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±20V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET