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TP65H050G4WS

型号:

TP65H050G4WS

品牌:

Transphorm

封装:

TO-247-3

描述:

650 V 34 A GAN FET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    TO-247-3

  • 厂商

    Transphorm

  • Tube

  • Active

  • 34A (Tc)

  • 10V

  • 119W (Tc)

  • TP65H050

  • 650 V

  • 49.2 ns

  • 4.8 V

  • 119 W

  • N-Channel

  • + 150 C

  • - 20 V, + 20 V

  • - 55 C

  • 30

  • SMD/SMT

  • Enhancement

  • Transphorm

  • Transphorm

  • 24 nC

  • 60 mOhms

  • Details

  • 88.3 ns

  • 34 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    Bulk

  • 子类别

    MOSFETs

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    60mOhm @ 22A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.8V @ 700μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1000 pF @ 400 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    24 nC @ 10 V

  • 上升时间

    11.3 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    650 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

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