RN1910FE,LF(CT
SOT-563, SOT-666
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
ES6
质量
3.005049mg
50V
100mA
120
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
100mW
极性
NPN
功率 - 最大
100mW
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
120 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
4.7kOhms
连续集电极电流
100mA
RoHS状态
RoHS Compliant
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