安装类型

Surface Mount

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

US6

厂商

Toshiba Semiconductor and Storage

Active

100mA

0.468

200 mW

PNP

+ 150 C

80

22 kOhms

SMD/SMT

200 MHz, 250 MHz

- 50 V

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

200MHz

电阻基(R1)

22kOhms

连续集电极电流

- 100 mA

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms