![RN1404S,LF](https://static.esinoelec.com/200dimg/toshibasemiconductorandstorage-1ss226lf-0179.jpg)
RN1404S,LF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
59
晶体管元件材料
SILICON
50V
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
基本部件号
RN140*
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
NPN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
47 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
RoHS Compliant
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RN1404S,LF
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NPN
50 V
100 mA
250MHz
250 MHz
200 mW
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