![TDTC124E,LM](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
TDTC124E,LM
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
Tape & Reel (TR)
Active
100 mA
320 mW
NPN
22 kOhms
3000
SMD/SMT
100 mA
Enhancement
Toshiba
Toshiba
100 mA
50 V
系列
-
包装
Cut Tape
子类别
Transistors
配置
Single
功率 - 最大
320 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
49 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250 MHz
电阻基(R1)
22 kOhms
连续集电极电流
100 mA
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased