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TDTA114E,LM

型号:

TDTA114E,LM

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

描述:

PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • 厂商

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • Tape & Reel (TR)

  • Active

  • 100 mA

  • 320 mW

  • PNP

  • 10 kOhms

  • 3000

  • SMD/SMT

  • 100 mA

  • Enhancement

  • Toshiba

  • Toshiba

  • 100 mA

  • 50 V

  • 系列

    -

  • 包装

    Cut Tape

  • 子类别

    Transistors

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    320 mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 5mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    250 MHz

  • 电阻基(R1)

    10 kOhms

  • 连续集电极电流

    100 mA

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

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