工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

SC-74A, SOT-753

表面安装

YES

供应商器件包装

SMV

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Toshiba Semiconductor and Storage

Tape & Reel (TR)

Active

1.8A, 2A

7 V

1.1 W

NPN, PNP

+ 150 C

200

- 55 C

3000

SMD/SMT

Toshiba

Toshiba

8 A

500

Details

30 V

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

150 °C

HN4B102J(TE85L,F)

RECTANGULAR

2

Active

Silicon PNP / NPN Epitaxial Type Transistor

TOSHIBA CORP

5.76

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G5

配置

Dual

功率 - 最大

750mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN AND PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN, PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 200mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

140mV @ 20mA, 600mA, 200mV @ 20mA, 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V, 30 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

- 1.8 A, 2 A

集电极-发射器电压-最大值

30 V

VCEsat-最大值

0.14 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT